| 详细介绍： 考夫曼离子源 KDC 75
KRI 考夫曼离子源 KDC 75
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 75: 紧凑栅极离子源, 离子束直径 14 cm ,可安装在 8“CF法兰. 适用于中小型腔内, 考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用, KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 250 mA.
KRI 考夫曼离子源 KDC 75 技术参数
通过加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD.
型号
KDC 75 / KDC 75L(低电流输出)
供电
DC magnetic confinement
- 阴极灯丝
2
- 阳极电压
0-100V DC
电子束
OptiBeam™
- 栅极
专用, 自对准
-栅极直径
7.5 cm
中和器
灯丝
电源控制
KSC 1212 或 KSC 1202
配置
-
- 阴极中和器
Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000
- 安装
移动或快速法兰
- 高度
7.9'
- 直径
5.5'
- 离子束
聚焦
平行
散设
-加工材料
金属
电介质
半导体
-工艺气体
惰性
活性
混合
-安装距离
6-24”
- 自动控制
控制4种气体
* 可选: 一个阴极灯丝; 可调角度的支架
KRI 考夫曼离子源 KDC 75 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
KRi KDC 考夫曼离子源典型案例:
设备: e-beam 电子束蒸发系统
离子源型号: KDC 75
应用: IBAD 辅助镀膜, 在玻璃上镀上高反射率膜 (光栅的镀膜)
离子源对工艺过程的优化: 无需加热衬底, 对温度敏感材料进行低温处理, 简化反应沉积
IBAD辅助镀膜
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：
上海伯东: 罗女士 |
：
